Haberler

Asya Uluslararası Expo ve Hong Kong International Expo, Hong Kong'da sona erdi. Bu sergi, hem yerli hem de uluslararası pazarlardan yüksek kaliteli elektronik şirketleri bir araya getirerek ürün tasarımından uygulamaya kadar tüm endüstriyi kapsayan profesyonel bir platform oluşturdu. Sergi, endüstri trendlerini yakından izledi ve yeni enerji araçları, akıllı otomobiller, yeşil enerji, akıllı fabrikalar, Nesnelerin İnterneti, Akıllı Giyilebilirler, Kablosuz İletişim, Kablosuz İletişimler gibi teknoloji temalarını kapsayan gerçek zamanlı endüstri sıcak noktalarına dayanan yeni sergi alanları birleştirdi. veri merkezleri ve akıllı evler. Gelecekteki araştırma ve geliştirmeden uygulama terminallerine kadar tüm elektronik endüstri zinciri için kapsamlı bir teknoloji vitrin platformu sağladı. Sergi ayrıca endüstri zincirinin yukarı akış ve aşağı yönlü diyalog ve iletişim için bir platform sağladı. Bu diyaloglar aracılığıyla müşteri ihtiyaçlarını anlayabilir, pazar trendlerini kavrayabilir, popüler kaynakları paylaşabilir ve elektronik bileşenler endüstrisinin gelecekteki eğilimlerini ortaklaşa keşfedebiliriz. Changyuan Electronics, bu sergiye katılma onuruna sahipti ve daha fazla endüstri akranının bizi tanımasına ve ürünlerimiz hakkındaki izlenimlerini derinleştirmelerine izin verdi. Dört günlük sergi ne çok uzun ne de çok kısaydı, ancak birçok kartvizit aldık ve bazı arkadaşlar edindik. Changyuan Electronics, her müşteriyi fabrikamızı ziyaret etmek için içtenlikle memnuniyetle karşılıyor ve daha fazla insanın ürünlerimizin yüksek standartlarda, katı gereksinimlere ve uygun maliyetli olduğunu bilmesini sağlıyor. Bir sonraki sergiyi dört gözle bekliyoruz ve Changyuan Electronics'i tanıyacak daha fazla arkadaşla tanışmayı umuyoruz!

Çözüm Schottky doğrultucu bir tür metal yarı iletken bağlantı diyotudur. Schottky diyot hızlı anahtarlama eylemi sunar ve düşük ileri voltaj düşüşüne sahiptir. Schottky diyot, diyot doğrultucularında birçok uygulamayı tespit eden elektronik endüstrisi için yararlı olmuştur. Schottky diyot, PN bağlantı diyotundan daha az ileri voltaj düşüşüne sahiptir. Schottky diyotunda, diyotun tükenme bölgesi ihmal edilebilir olduğu için diyotun kapasitansı düşüktür.